Ахметов Тимур Каримович
Доктор Ph.D.
Ассистент-профессор
Институт энергетики и машиностроения им. А. Буркитбаева
Email: t.akhmetov@satbayev.111
Профессиональная биография
2011-2014- Инженер лаборатории нанотехнологий.
Февраль 2015-сентябрь 2015- Менеджер по продажам ТОО «Дистрилаб».
Ноябрь 2015-март 2016- Научный сотрудник лаборатории анализа структур, Nazarbayev University.
Сентябрь 2016-январь 2017-сениор-лектор, Алматинский университет Энергетики и Связи.
Январь 2017-июнь 2019- сениор-лектор, Казахстано-Британский Технический Университет.
Июнь 2019-настоящее время-ассистент-профессор, Satbayev University.
Образование
Казахский национальный университет имени аль-Фараби, физический факультет, 2005-2009-бакалавриат, специальность « Физика плазмы»
Томский Политехнический Университет, факультет естественных наук и математики, 2009-2011-магистратура, специальность «Медицинское материаловедение»
Казахстано-Британский Технический университет, лаборатория нанотехнологий, 2011-2014-докторантура
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, инженерно-экономический факультет, 2019-2021-магистатура (заочная форма обучения)-специальность «Аналитика больших данных в цифровой экономике».
Научные проекты
Актуальные проекты-написание магистерской диссертации по теме « Методы и инструменты экономической аналитики на основе больших данных».
Публикации
1. Nussupov K.Kh., Beisenkhanov N.B., Zharikov S.K., Beisembetov I.K., Kenzhaliev B.K., Akhmetov T.K. and Seitov B.Zh. Structure and Composition of Silicon Carbide Films Synthesized by Ion Implantation // Physics of the Solid State. – 2014. – Vol. 56, No. 11. – Р. 2307–2321. (Impact-factor 2013 – 0.782. SCOPUS, Thomson Reuters).
2. Бейсембетов И.К., Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б., Жариков С.К., Кенжалиев Б.К., Ахметов Т.К., Сейтов Б.Ж. Синтез тонких пленок SiC на подложках Si ионно-лучевым распылением // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. − 2015. (Импакт-фактор 2013 – 0,359. SCOPUS, Thomson Reuters).
3. Бейсембетов И.К., Бейсенханов Н.Б., Жариков С.К., Кенжалиев Б.К., Нусупов К.Х., Ахметов Т.К., Сеитов Б.Ж. Инфракрасная спектроскопия ионно-синтезированных тонких пленок карбида кремния // Вестник Нижегородского Гос. Университета. − 2013. − № 4(1). – С. 42-55.
4. Бейсембетов И.К., Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б., Жариков С.К., Кенжалиев Б.К., Ахметов Т.К., Сеитов Б.Ж. Формирование и структура наноразмерного слоя карбида кремния на кремнии при имплантации ионов углерода высоких доз // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. – М.: Издательство "Радиотехника. – 2013. – Т. 4, № 2. − С. 36−42.
5. Бейсембетов И.К., Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б., Жариков С.К., Кенжалиев Б.К., Ахметов Т.К., Ивлев Р. Структура наноразмерных пленок углерода и карбида кремния на кремнии, полученных магнетронным и ионно-лучевым распылением мишени // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. – М.: Издательство "Радиотехника". − 2012. − Т. 3, № 4. − С. 30−35.
6. Бейсембетов И.К., Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б., Жариков С.К., Кенжалиев Б.К., Ахметов Т.К., Сеитов Б.Ж. Инфракрасная спектроскопия и рентгеновская рефлектометрия тонких пленок SiC на Si // Доклады НАН РК. − 2013. − № 6.
7. Бейсембетов И.К., Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б., Жариков С.К., Кенжалиев Б.К., Ахметов Т.К., Сеитов Б.Ж. Распределение атомов углерода в кремнии после высокодозовой имплантации ионов С+ в Si // Известия НАН РК. Серия физико-математическая. − 2013. − № 6.
8. Бейсембетов И.К., Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б., Жариков С.К., Кенжалиев Б.К., Ахметов Т.К., Сеитов Б.Ж. Ионный синтез и свойства пленок карбида кремния и углерода // Вестник КазНУ им. Аль-Фараби. Серия физическая. – 2013. – № 3(46). – С. 27–36.
9. Бейсембетов И.К., Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б., Жариков С.К., Кенжалиев Б.К., Сагындыков А.Б., Ахметов Т.К. ИК-спектроскопия слоев кремния, имплантированных ионами углерода // Вестник КБТУ. − Алматы. − 2011. − № 2 . − С. 24–28.
10. Бейсембетов И.К., Бейсенханов Н.Б., Жариков С.К., Кенжалиев Б.К., Нусупов К.Х., Ахметов Т.К. Ионный синтез тонких пленок карбида кремния. // Тезисы докладов IV Всероссийс. конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико–химические основы ионной имплантации». – Новосибирск, 2012. – С. 61.
11. Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б., Жариков С.К., Бейсембетов И.К., Кенжалиев Б.К., Ахметов Т.К., Сеитов Б.Ж. Формирование тонких пленок SiC на подложках Si методом ионно-лучевого распыления // Сборник тезисов X конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур на его основе «Кремний – 2014. –Иркутск, 2014. – С. 158.
12. Бейсембетов И.К., Бейсенханов Н.Б., Жариков С.К., Кенжалиев Б.К., Нусупов К.Х., Ахметов Т.К. Ионный синтез и свойства пленок карбида кремния и углерода. // Тезисы докладов IV Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико–химические основы ионной имплантации». – Новосибирск, 2012. – С. 117.
13. Бейсембетов И.К., Нусупов К.Х., Жариков С.К., Кенжалиев Б.К., Бейсенханов Д.Н., Джарас А.К., Ахметов Т.К., Сеитов Б.Ж. Исследование пленок карбида кремния, синтезированных методом ионной имплантации // Труды VI Международной научно-практической конференции «Проблемы инновационного развития нефтегазовой индустрии» / КБТУ. – Алматы, 2014.
14. Бейсембетов И.К., Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б., Жариков С.К., Кенжалиев Б.К., Мить К.А., Ахметов Т.К., Сеитов Б.Ж. Синтез тонких пленок SiC и С на подложках Si магнетронным и ионно-лучевым распылением. // Материалы 5-й Международной научно-практической конференции «Проблемы инновационного развития нефтегазовой индустрии» / КБТУ. – Алматы, 2013. − С. 192–198.
15. Бейсембетов И.К., Бейсенханов Н.Б., Жариков С.К., Кенжалиев Б.К., Нусупов К.Х., Ахметов Т.К. ИК-исследование высокотемпературной нестабильности твердых пленок SiC, синтезированных ионной имплантацией // Материалы 4-й Международной научно-практической конференции «Проблемы инновационного развития нефтегазовой индустрии» / КБТУ. – Алматы, 2012.