
Чучвага Николай Алексеевич
Доктор Ph.D.
Заместитель директор института по научной работе
Научные работники холдинга Satbayev University
Физико-технический институт
Email: n.chuchvaga@satbayev.111
Профессиональная биография
Ноябрь 2010 – август 2014. Физико-Технический Институт им. Йоффе РАН, лаборант
2013г. MIPEX TECHNOLOGY, стажер
Сентябрь 2014 – н.в. СНС, ТОО «Физико-технический институт»
2018 - 2020 гг. МНС, ТОО «научно-производственный центр агроинженерии»
Январь 2020 – н.в. преподаватель, Казахстанско-Немецкий университет
Сентябрь 2020 – н.в. Старший преподаватель, КазНУ им. Аль-Фараби
Образование
2008-2014гг. Санкт-Петербургский Государственный Политехнический Университет (Санкт-Петербург)
Специальность: Техническая физика
2011г. Умео Университет (г. Умео, Швеция)
Специальность: Солнечные элементы
2019г. КазНУ им. аль-Фараби
Специальность: Техническая физика
Научные проекты
BR21881954 «Разработка технологий синтеза наноструктурированных материалов для создания эффективных фотокаталитических электродов, фото и газочувствительных сенсоров»Публикации
- N. Chuchvaga, E. Bogdanova, A. Strel’chuk, E. Kalinina, M. Zamoryanskaya, D.
Shustov, V. Skuratov. "Electrophysical and optical properties of 4H-SiC irradiated
with Xe ions" // Mat. Science Forum 740-742, 625 (2013).
- Kalinina, E. V., Chuchvaga, N. A., Bogdanova, E. V., Strel’chuk, A. M., Shustov,
D. B., Zamoryanskaya, M. V., Skuratov, V. A. (2014). Optical and electrical
properties of 4H-SiC irradiated with Xe ions. Semiconductors, 48(2), 156-162.
- Kalinina EV, Chuchvaga NA, Bogdanova EV, Skuratov VA The long-range effect in 6H-SiC under irradiation with Xe ions. PZHTF, 2015, Volume 41, issue 9.
- Omarov MA, Chuchvaga NA, Klimenov VV, Tokmoldin S.Zh., Tokmoldin N.S. "Production of thin silicon films by the method of magnetron deposition" / was filed in the Bulletin of the Kazakhstan National Academy of Natural Sciences (2014).
- N.S. Tokmoldin, N.A. Chuchvaga, S.Zh. Tokmoldin, "Modeling the influence of contacts in heterojunction silicon solar cells", Bulletin of the Kazakhstan National Academy of Natural Sciences, 2016, №3. (WAC)
- M.A. Omarov, N.A. Chuchvaga, V.V. Klimenov, N.S. Tokmoldin, S.Zh. Tokmoldin "The method of obtaining thin-film structures based on silicon", Innovative patent RK № 30246. Opubl. July 20, 2015, bul. №8.
- N.S. Tokmoldin, N.A. Chuchvag, et al., "The use of solar cells with a two-sided contact mesh in the conditions of Kazakhstan", Journal of Technical Physics, 2017, Vol. 87, no. 12, pp. 1879-1883. (WAC)
- N. S. Tokmoldin, N. A. Chuchvaga, V. N. Verbitskii, E. I. Terukov, A. S. Titov, S. Zh. Tokmoldin and K. S. Zholdybaev "Use of Solar Cells with a Two-Sided Contact", Solid State Electronics, p.1877-1881 / DOI: 10.1134 / S106378421712026X (IF 2,068)
- Daniya Mukhamedshina, Konstantin Mit, Nikolay Chuchvaga, Nurlan Tokmoldin, Fabrication and study of sol-gel ZnO films for use in Si-based heterojunction photovoltaic devices, MOEM (2017) (SCOPUS)
- Aimaganbetov, K.P. et al. The study of the influence of pricing factors and output characteristics of heterojunction. Recent Contributions to Physics (Rec.Contr.Phys.), [S.l.], v. 64, n. 1, p. 19-24, may 2018. ISSN 1563-0315. Available at: <http://bph.kaznu.kz/index.php/zhuzhu/article/view/606>. Date accessed: 05 july 2018.
- Chuchvaga N.A. et al. Study and optimization of heterojunction silicon solar cells // Journal of Physics: Conference Series. - IOP Publishing, 2018. - T. 993. - No. 1. - P. 012039. (IF 0.45)
№ | Название статьи | Название журнала | Направление | Год |
---|